Band structure of stress-strain graphene taking into account dislocation and disclination loops

Предложен подход к учету влияния полей упругих и пластических деформаций, создаваемых дислокациями и деклинациями, на электронное строение графеноподобных структур в рамках модели сильной связи. В модели учтены неоднородные изменения прыжковых интегралов, возникающих из-за неоднородных деформаций. Рассмотрены различные виды дислокаций и их влияние на электронную структуру графена. Показано, что дислокации без дополнительных сдвиговых деформаций не приводят к появлению запрещённой зоны. На основе построенной модели можно предсказать необходимые виртуальные дислокации и значения деформаций для получения устойчивой запрещённой зоны в графене, а, следовательно, его полупроводниковых свойств. Модель объясняет малую ширину запрещённой зоны при выкладывании графена на подложку без дополнительных деформаций.